一种卷对卷石墨烯薄膜生长设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种卷对卷石墨烯薄膜生长设备，包括：真空腔室、真空泵以及设置于所述真空腔室和真空泵之间的阀门；所述真空腔室内包括：设置于真空腔室底部的镓池，镓池内部承载有液态镓；用于向镓池内通气的进气管；由依次设置的放卷辊、转向辊和收卷辊组成的传动设备；塑料薄膜安装在放卷辊，经转向辊后，卷绕于收卷辊上；其中转向辊浸渍于液态镓中。本实用新型上述装置利用液态镓分解甲烷，塑料薄膜在镓中传动，直接在塑料薄膜表面生长石墨烯薄膜。本实用新型可以直接在塑料基底上生长石墨烯薄膜，方法简单，成本低。
基本信息
专利标题 ：
一种卷对卷石墨烯薄膜生长设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922454004.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN211645381U
授权日 ：
2020-10-09
发明人 ：
白晓航汪伟刘兆平
申请人 ：
宁波柔碳电子科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市镇海区庄市街道中官西路1818号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
王洋
优先权 ：
CN201922454004.8
主分类号 ：
C23C16/54
IPC分类号 ：
C23C16/54 C23C16/26
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/54
连续镀覆的专用设备
法律状态
2020-10-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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