非晶硅太阳电池背电极的刻蚀方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
用激光—化学腐蚀刻蚀a-si太阳电池背电极，涉及半导体及光电器件。本发明是在背金属电极上涂敷一层极薄的防腐层，用激光按所需背金属电极的图案刻蚀防腐层，然后再用化学腐蚀来除去背电极，从而达到无掩模刻蚀背金属电极的目的。防腐层可用旋涂法、喷涂法或浸涂法涂敷于背金属电极的表面上，根据防腐层的厚度选择适当的激光参数如光源电源电压、电流，激光扫描或样品移动的速度，调Q频率等即能获得满意的刻蚀效果。
基本信息
专利标题 ：
非晶硅太阳电池背电极的刻蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1032715A
申请号 ：
CN87101127.1
公开（公告）日 ：
1989-05-03
申请日 ：
1987-11-04
授权号 ：
CN1004315B
授权日 ：
1989-05-24
发明人 ：
钟伯强施亚玲肖兵张秀荣
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
聂淑仪
优先权 ：
CN87101127.1
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/28 C23F1/32 C23F15/00
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法律状态
1995-12-20 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-01-10 ：
授权
1989-05-24 ：
审定
1989-05-03 ：
公开
1988-04-13 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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