一种金属电极、晶硅太阳电池及制备方法
公开
摘要
本申请实施例提供一种金属电极、晶硅太阳电池及制备方法，涉及晶硅太阳电池生产技术领域。金属电极的制备方法主要是在基片的表面刮涂正性光刻胶，定形、光刻，形成对应图形的凹槽；使用磁控溅射技术或反应等离子体沉积技术在凹槽内依次形成种子层和铜电极，且种子层和铜电极的总高度低于正性光刻胶层的高度。晶硅太阳电池的制备方法主要是采用如上述的金属电极的制备方法形成正面和背面金属电极；分别在正面和背面金属电极上刮涂负性光刻胶，移除正性光刻胶层；在硅衬底的正面和背面形成减反射膜和钝化膜，移除负性光刻胶层。金属电极的的制备方法、晶硅太阳电池及其制备方法，电极品质优异，高宽比高，电池的效率高。
基本信息
专利标题 ：
一种金属电极、晶硅太阳电池及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583012A
申请号 ：
CN202210217977.3
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王璞
申请人 ：
通威太阳能(成都)有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市双流区西南航空港经济开发区工业集中发展区六期内
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
吕露
优先权 ：
CN202210217977.3
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/0216 H01L31/0224 H01L31/068
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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