太阳电池硅表面生成多孔硅的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种晶体硅太阳电池的制造方法，尤其是硅太阳电池制造工艺步骤中在晶体硅表面生成多孔硅的方法。预先在硅片表面加工出栅格状的导电网格，再将硅片进行湿法化学腐蚀处理。本发明以简单方法解决了在大面积硅片上生成多孔硅的均匀性问题，本发明的这种多孔硅生成方法可以作为太阳电池的表面微机械加工的一个工艺步骤。
基本信息
专利标题 ：
太阳电池硅表面生成多孔硅的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1967881A
申请号 ：
CN200510110448.X
公开（公告）日 ：
2007-05-23
申请日 ：
2005-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李涛勇刘琼
申请人 ：
上海太阳能科技有限公司
申请人地址 ：
201108上海市莘庄工业区申南路555号
代理机构 ：
上海航天局专利中心
代理人 ：
金家山
优先权 ：
CN200510110448.X
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18
法律状态
2009-07-29 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-06-18 ：
实质审查的生效
2007-05-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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