钝化太阳电池表面的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种钝化太阳电池表面的方法，其特点是用浓度为50％的四乙氧基硅烷溶液在15℃－28℃的温度条件下涂在已扩散后的硅片上，在500℃－750℃加热条件下，四乙氧基硅烷热分解生成SiO2和氢气，SiO2粘附在硅表面上经电极烧结时进入硅表面，起到钝化效果。本发明在不改变现有的民用太阳电池的连续生产程序，在不采用PECVD设备的方法情况下，可使多晶硅太阳电池的填充因子增加十个百分点以上。
基本信息
专利标题 ：
钝化太阳电池表面的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1983647A
申请号 ：
CN200510111456.6
公开（公告）日 ：
2007-06-20
申请日 ：
2005-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
汪乐
申请人 ：
上海太阳能科技有限公司
申请人地址 ：
201108上海市莘庄工业区申南路555号
代理机构 ：
上海航天局专利中心
代理人 ：
金家山
优先权 ：
CN200510111456.6
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/316
法律状态
2010-07-21 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003335939
IPC(主分类) : H01L 31/18
专利申请号 : 2005101114566
公开日 : 20070620
号牌文件序号 : 101003335939
IPC(主分类) : H01L 31/18
专利申请号 : 2005101114566
公开日 : 20070620
2008-06-18 ：
实质审查的生效
2007-06-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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