半导体表面钝化方法
被视为撤回的申请
摘要
本发明是属于半导体器件制造工艺方法。具体地说，是一种SiN—a-Si:H(氮化硅—非晶硅)的钝化方法。用等离子体CVD淀积的a—Si:H薄膜中含有H(氢)，可填充Si—SiO2界面的悬挂键缺陷，对半导体管芯有钝化作用。其特征是采用SiN—a-Si:H双层结构，SiN层除具有其本身的作用外，还具备在150℃—650℃温度范围内防止a—Si:H薄膜中的H逸出之功能。在SiN的掩蔽下对管芯进行适当的热处理，可促使H向Si—SiO2界面扩散，钝化效果更明显。使用金属—介质复合舟，可有效地防止对管芯的高频损伤，也是本发明的特征之一。
基本信息
专利标题 ：
半导体表面钝化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85100896A
申请号 ：
CN85100896
公开（公告）日 ：
1985-12-20
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张书绅
申请人 ：
北京电子二厂
申请人地址 ：
北京东郊陈各庄
代理机构 ：
北京电子管厂科技部新品开发室专利代理组
代理人 ：
王蕴
优先权 ：
CN85100896
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31 H01L21/324
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
1987-09-09 ：
被视为撤回的申请
1985-12-20 ：
公开
1985-11-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN85100896A.PDF
PDF下载
