一种硫钝化Ⅲ－V族半导体材料表面的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种用氯化硫钝化Ⅲ－Ⅴ族半导体材料及器件表面的方法，已有的钝化方法时间长而且要控制温度。本发明用氯化硫处理Ⅲ－Ⅴ族半导体材料及器件，只需将半导体预清洗后，室温下将其放入氯化硫溶液中数秒至几十秒钟，取出用无水有机溶剂、丙酮、水冲洗，氮气吹干即可，本方法室温即可，条件简单，处理时间快，工艺简捷，可作为Ⅲ－Ⅴ族半导体，如ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ等半导体材料或器件的表面钝化技术。
基本信息
专利标题 ：
一种硫钝化Ⅲ－V族半导体材料表面的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1105780A
申请号 ：
CN94112024.4
公开（公告）日 ：
1995-07-26
申请日 ：
1994-01-18
授权号 ：
CN1053063C
授权日 ：
2000-05-31
发明人 ：
侯晓远李喆深蔡卫中王为丁训民董国胜王迅
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
200433上海市邯郸路220号
代理机构 ：
复旦大学专利事务所
代理人 ：
姚静芳
优先权 ：
CN94112024.4
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
2005-03-16 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2000-05-31 ：
授权
1995-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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