半导体基体材料的制作方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
半导体基体材料的制作方法，其特征为具有以下工序：使硅基体形成多孔性后，在该多孔性硅基体上形成非多孔性硅单晶层的工序；通过上述非多孔性硅单晶层将上述多孔性硅基体和绝缘性基体贴合起来的一次贴合式序；在上述一次贴合工序后，用化学腐蚀法将上述多孔性硅除去的腐蚀工序；以及在上述一次贴合之后进行的、使上述一次贴合更牢固的二次贴合工序。
基本信息
专利标题 ：
半导体基体材料的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1068443A
申请号 ：
CN92103908.5
公开（公告）日 ：
1993-01-27
申请日 ：
1992-05-22
授权号 ：
CN1052339C
授权日 ：
2000-05-10
发明人 ：
坂口清文米原隆夫
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
杨国旭
优先权 ：
CN92103908.5
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2007-07-25 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-06-12 ：
其他有关事项
2000-05-10 ：
授权
1993-01-27 ：
公开
1992-12-30 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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