半导体基体材料的制作方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种半导体基体材料的制作方法，包括步骤：使硅基体形成多孔性，在其上以第一种温度形成非多孔性硅单晶层，将该非多孔性硅单晶层表面贴合在表面上有绝缘物的另一基体上，用化学腐蚀方法腐蚀该贴合的基体上多孔性硅而除去多孔性硅，以高于第一温度的第二温度在通过外延生长在上述非多孔性硅单晶层上形成单晶硅层。
基本信息
专利标题 ：
半导体基体材料的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1073550A
申请号 ：
CN92108981.3
公开（公告）日 ：
1993-06-23
申请日 ：
1992-07-31
授权号 ：
CN1042375C
授权日 ：
1999-03-03
发明人 ：
市川武史米原隆夫坂口清文
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
姜华
优先权 ：
CN92108981.3
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/822
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2007-09-26 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-06-12 ：
其他有关事项
1999-03-03 ：
授权
1993-06-23 ：
公开
1993-06-09 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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