半导体表面具有导线迹的半导体器件制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种制造半导体器件的方法，该器件的半导体片具有由半导体区和其周围的氧化区所构成的表面，在表面上制备金属层，以这层金属层形成导线迹，然后，把氧化硅绝缘层淀积在表面上的导线迹上。根据本发明，在把氧化硅层制备在导线迹上之前，这种导线迹上制备有防氧化材料的顶层。由于制备了顶层，避免了氧化硅覆盖的导线迹产生高电阻甚至电学断路的可能。
基本信息
专利标题 ：
半导体表面具有导线迹的半导体器件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1034826A
申请号 ：
CN89100454.8
公开（公告）日 ：
1989-08-16
申请日 ：
1989-01-26
授权号 ：
CN1016297B
授权日 ：
1992-04-15
发明人 ：
罗伯特斯·阿德里安纳斯·玛丽亚·达尔特斯阿历山大·吉斯伯特斯·马赛厄斯·扬卡斯
申请人 ：
菲利浦光灯制造公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
马铁良
优先权 ：
CN89100454.8
主分类号 ：
H01L21/90
IPC分类号 ：
H01L21/90 H01L21/285 H01L21/60
法律状态
2007-03-28 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24 ：
其他有关事项
1998-12-16 ：
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 菲利浦电子有限公司
变更后 : 皇家菲利浦电子有限公司
变更前 : 菲利浦电子有限公司
变更后 : 皇家菲利浦电子有限公司
1997-12-24 ：
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 菲利浦光灯制造公司
变更后 : 菲利浦电子有限公司
变更前 : 菲利浦光灯制造公司
变更后 : 菲利浦电子有限公司
1993-01-20 ：
授权
1992-04-15 ：
审定
1991-01-30 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1989-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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