降低半导体衬底晶片表面颗粒的清洗方法
公开
摘要
本发明涉及降低半导体衬底晶片表面颗粒的清洗方法，包括如下步骤：对半导体衬底晶片进行超声波清洗，其中超声波清洗包括依次进行的超声波去蜡清洗、超声波去离子水清洗；超声波去蜡清洗时的超声波频率为25KHz；超声波去离子水清洗时依次采用频率为40KHz、80KHz、120KHz的顺便进行清洗；对超声波清洗后的半导体衬底晶片进行化学试剂清洗；对半导体衬底晶片进行兆声波清洗，兆声波清洗时的频率为0.9MHz～1.2MHz；本发明的方法能够有效降低砷化镓和磷化铟晶片表面的残留颗粒缺陷，颗粒度小于100个/片，提高了晶片表面质量和产品良率；方法成本低、实用性强，适用于半导体晶片的批量生产。
基本信息
专利标题 ：
降低半导体衬底晶片表面颗粒的清洗方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613697A
申请号 ：
CN202210224877.3
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王世锋杨超张建平王泽华
申请人 ：
青岛浩瀚全材半导体有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市胶州九龙街道办事处站前大道与204国道交界处北500米路西
代理机构 ：
天津盈佳知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
安娜
优先权 ：
CN202210224877.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 B08B3/12 B08B3/08 F26B21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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