半导体器件表面颗粒测量平台
授权
摘要
本实用新型的半导体器件表面颗粒测量平台，包括：工作台组件，用于放置所述半导体器件；高度滑尺固定组件，其固定连接在所述工作台上；高度滑尺，其第一端固定连接在所述高度滑尺固定组件上；水平滑尺，其第一端与所述高度滑尺的第二端固定连接；颗粒检测器，用于检测所述半导体器件表面颗粒物，所述颗粒检测器固定设置在所述水平滑尺的第二端。本实用新型规范了测量人员测量的手法和标准，从而使得测量获取的数据更为准确。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件表面颗粒测量平台
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922431968.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN211652591U
授权日 ：
2020-10-09
发明人 ：
许文泽袁鹏华刘东升
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭立
优先权 ：
CN201922431968.0
主分类号 ：
G01N21/95
IPC分类号 ：
G01N21/95 G01N21/31 G01N21/55 H01L21/67 G01B5/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/84
专用于特殊应用的系统
G01N21/88
测试瑕疵、缺陷或污点的存在
G01N21/95
特征在于待测物品的材料或形状
法律状态
2020-10-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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