从半导体表面脱除颗粒的方法
专利权的终止
摘要
公开了清洁表面的方法，所述方法包括采用含水清洁介质的清洁步骤，将清洁介质提供到所述半导体表面，其中清洁介质包含以胶体形式悬浮的清洁颗粒和在清洁步骤期间将机械搅拌施加到要脱除的颗粒至少一部分时间。
基本信息
专利标题 ：
从半导体表面脱除颗粒的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101151714A
申请号 ：
CN200680010875.3
公开（公告）日 ：
2008-03-26
申请日 ：
2006-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
亚历山大·普费佛
申请人 ：
SEZ股份公司
申请人地址 ：
奥地利菲拉赫
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
龙传红
优先权 ：
CN200680010875.3
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 B08B3/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2020-03-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20060323
授权公告日 : 20090722
终止日期 : 20190323
申请日 : 20060323
授权公告日 : 20090722
终止日期 : 20190323
2010-02-17 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : SEZ股份公司
变更后 : 兰姆研究股份公司
变更事项 : 地址
变更前 : 奥地利菲拉赫
变更后 : 奥地利菲拉赫
变更前 : SEZ股份公司
变更后 : 兰姆研究股份公司
变更事项 : 地址
变更前 : 奥地利菲拉赫
变更后 : 奥地利菲拉赫
2009-07-22 ：
授权
2008-05-21 ：
实质审查的生效
2008-03-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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