半导体表面加工方法
公开
摘要
本发明涉及微电子技术领域，公开了一种半导体表面加工方法，包括：将光刻胶涂覆在半导体表面的非加工区域；将涂胶后的半导体置于处理室中；对所述处理室进行抽真空处理，使得所述处理室的真空度达到预设值；向所述处理室中通入混合气体，并将所述混合气体离子化，以形成离子束；其中，所述混合气体包括惰性气体和碳氢化合物气体；控制所述离子束对所述涂胶后的半导体进行蚀刻处理。采用本发明实施例，能够实现对半导体表面刻蚀的精细化控制，并且减少侧向刻蚀的现象，取得较高的表面加工质量。
基本信息
专利标题 ：
半导体表面加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284142A
申请号 ：
CN202011032295.2
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2020-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈儒
申请人 ：
东莞新科技术研究开发有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市南城区宏远工业区
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郝传鑫
优先权 ：
CN202011032295.2
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01L21/308 H01L21/027
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
