激光加工方法和半导体芯片
授权
摘要
本发明提供一种激光加工方法，将形成有包含多个功能元件的层压部的衬底加以切断的时，特别地能够进行层压部的高精度的切断。在将保护胶带(22)粘贴在层压部(16)的表面(16a)后的状态下，将衬底(4)的背面(4b)作为激光入射面来照射激光(L)，由此使改质区域(7)沿着切断预定线而形成于衬底(4)的内部，并产生从改质区域(7)的表面侧端部(7a)起到达衬底(4)的表面(4a)的龟裂(24)。然后，在产生这样的龟裂(24)的状态下，将扩张胶带粘贴在衬底(4)的背面(4b)并使其扩张时，不仅可将衬底(4)而且可将切断预定线上的层压部(16)，即层间绝缘膜(17a，17b)，沿着切断预定线精度良好地切断。
基本信息
专利标题 ：
激光加工方法和半导体芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101057317A
申请号 ：
CN200580038894.2
公开（公告）日 ：
2007-10-17
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杉浦隆二坂本刚志
申请人 ：
浜松光子学株式会社
申请人地址 ：
日本静冈县
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200580038894.2
主分类号 ：
H01L21/301
IPC分类号 ：
H01L21/301 B23K26/40
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/301
把半导体再细分成分离部分，例如分隔
法律状态
2009-05-13 ：
授权
2007-12-12 ：
实质审查的生效
2007-10-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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