本申请公开了一种半导体激光芯片失效分析方法。其中，所述方法包括：去除半导体激光芯片的衬底，直至露出所述半导体激光芯片的外延层；通过显微镜的暗场模式观察所述外延层，分析得出失效部位。由于无需专门设备，仅使用显微镜即可解决激光芯片失效模式分析问题，从而降低了高功率半导体激光芯片失效分析成本；并且，显微镜是常用工具，不像专门设备，操作简单，无需专业技术人员即可操作，降低了高功率半导体激光芯片失效的门槛。并且，通过显微镜的暗场模式来直接观察所述外延层，保持了对失效区域高质量的成像，对推动高功率半导体激光芯片各项性能指标的研究有重要作用。