半导体器件的失效分析方法
授权
摘要
本发明提供了一种半导体器件的失效分析方法，所述半导体器件的失效分析方法包括：对所述半导体器件进行电性失效分析，以定位到某条失效导电线路；以及，对所述某条失效导电线路进行热点抓取，以定位所述热点；若未抓取到所述某条失效导电线路中的所述热点，则对所述某条失效导电线路进行修补处理，以将所述某条失效导电线路暴露出来，进而抓取到暴露出来的所述某条失效导电线路中的所述热点，以进行下一步的物性失效分析。本发明的技术方案使得在产品设计发生改变的情况下还能抓取到热点，进而使得能够快速且准确地找到缺陷位置以及分析失效原因，从而实现对失效产品的改善。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的失效分析方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111477262A
申请号 ：
CN202010268633.6
公开（公告）日 ：
2020-07-31
申请日 ：
2020-04-07
授权号 ：
CN111477262B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
李桂花高慧敏
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202010268633.6
主分类号 ：
G11C29/50
IPC分类号 ：
G11C29/50 G01R31/26 G01R31/52 G01N1/28 G01N23/04 G01N23/2005 G01B15/04
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/50
容限测试，例如，竞争、电压或电流测试
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-12-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/50
申请日 : 20200407
申请日 : 20200407
2020-07-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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