半导体器件中失效分析的结构和方法
授权
摘要
本发明公开了一种半导体失效分析的分析结构和方法。所述结构包括：多个分析场，设置于半导体器件的预定的区域上；半导体晶体管，设置于每个所述分析场中，所述半导体晶体管设置为阵列；字线，设置于所述多个分析场的每个上，在第一方向将所述半导体晶体管彼此连接；和位线结构，在所述多个分析场的每个上，在第二方向将所述半导体晶体管彼此连接，其中，所述位线结构在所述多个分析场的每个中配置为不同的图案。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件中失效分析的结构和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1805139A
申请号 ：
CN200510128845.X
公开（公告）日 ：
2006-07-19
申请日 ：
2005-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李起岩权相德李钟弦
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510128845.X
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2009-11-04 ：
授权
2008-01-16 ：
实质审查的生效
2006-07-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1805139A.PDF
PDF下载
2、
CN100557797C.PDF
PDF下载
