半导体结构的分析方法、分析系统、介质及电子设备
实质审查的生效
摘要

本公开是关于一种半导体结构的分析方法、分析系统、介质及电子设备,该方法通过建立存储有实验设计晶圆的光谱和结构参数,及制程记录晶圆的光谱和结构参数的数据库,基于数据库中的光谱和结构参数生成数据处理模型,通过数据处理模型对在线晶圆的光谱进行分析。将需要检测的在线晶圆的光谱直接导入数据处理模型,即可获得预测结果,工作效率较高。分析过程会将在线晶圆的光谱也保存在数据库中,不断对数据处理模型进行更新,提高数据处理模型的准确性,对其他在线晶圆检测时,可以复用已完成分析的在线晶圆的光谱,从而提高预测结果的精度。

基本信息
专利标题 :
半导体结构的分析方法、分析系统、介质及电子设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114357940A
申请号 :
CN202210022871.8
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2022-01-10
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
盛永尚
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 :
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 :
王辉
优先权 :
CN202210022871.8
主分类号 :
G06F30/398
IPC分类号 :
G06F30/398  G06F115/12  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/398
设计验证或优化,例如:使用设计规则检查、布局与原理图或有限元方法
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/398
申请日 : 20220110
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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