半导体分析装置
专利权的终止
摘要
本发明的课题是提供一种半导体分析装置，相对电子束量的变动，能够得到精度良好的测定值。本发明的半导体分析装置测定将电子束照射到半导体衬底上时在所述半导体衬底上感应出的衬底电流，包括：支撑半导体衬底的半导体衬底支撑单元、产生电子束的电子束产生单元、用于检测电子束照射量的电子束检测单元、测定在半导体衬底上感应出的衬底电流和由电子束检测单元检测出的电子束量的电流测定单元。
基本信息
专利标题 ：
半导体分析装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101273447A
申请号 ：
CN200580051691.7
公开（公告）日 ：
2008-09-24
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山田惠三
申请人 ：
株式会社拓普康
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京德琦知识产权代理有限公司
代理人 ：
陆弋
优先权 ：
CN200580051691.7
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 G01R31/302
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2015-11-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101633281059
IPC(主分类) : H01L 21/66
专利号 : ZL2005800516917
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20100616
终止日期 : 20140929
号牌文件序号 : 101633281059
IPC(主分类) : H01L 21/66
专利号 : ZL2005800516917
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20100616
终止日期 : 20140929
2010-06-16 ：
授权
2008-11-19 ：
实质审查的生效
2008-09-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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