半导体装置
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体装置，包括：半导体衬底，形成有切割线区；第一测试垫以及测试元件，设置在切割线区；导线，用于将第一测试垫以及测试元件连接；其中，第一测试垫包括层叠设置的多个金属配线层，至少一个金属配线层内形成有第一金属配线以及第二金属配线，将第一金属配线作为导线。本实施例将测试垫中的部分金属导线分离出来作为测试导线，这样测试导线便可以以直线的方式将测试垫与测试元件进行连接，缩短了测试导线的长度，简化了测试导线的布置结构。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429917A
申请号 ：
CN202011181829.8
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柳圣浩赵劼杨涛张欣
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
金铭
优先权 ：
CN202011181829.8
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20201029
申请日 : 20201029
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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