半导体装置
授权
摘要
本申请提供一种半导体装置，包括壳体、承载平台以及气源组件。壳体上形成有隔离腔体，以及连通隔离腔体的进风口和出风口，承载平台位于隔离腔体内，用于放置半导体元件。气源组件位于隔离腔体的外部，分别与进风口和出风口连通，以向隔离腔体内输送洁净气流。洁净气流能够在半导体元件的表面形成隔离气流，以防止隔离腔体内的尘粒落在半导体元件上。本申请提供的半导体装置，通过引导洁净气流在半导体元件的表面形成隔离气流，有效地降低了洁净气流流向半导体元件的表面，对半导体元件造成污染的风险。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112466771A
申请号 ：
CN202011356020.4
公开（公告）日 ：
2021-03-09
申请日 ：
2020-11-26
授权号 ：
CN112466771B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
周毅张贝
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
高洁
优先权 ：
CN202011356020.4
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-03-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20201126
申请日 : 20201126
2021-03-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN112466771A.PDF
PDF下载
