半导体检测装置及半导体工艺装置
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体检测装置及半导体工艺装置，其中检测装置包括：晶圆承载装置，用于承载待检测晶圆；入射光系统，发射第一入射光；光束整形系统，将所述第一入射光整形成第一环形入射光，所述第一环形入射光经待检测晶圆的反射形成第一反射光；光学信号分拣系统，用于自所述第一反射光中分拣出非线性光学信号；控制系统，用于根据所述非线性光学信号获取所述待检测晶圆的第一缺陷信息。本实用新型用于实现制程中非破坏性的原子级缺陷检测，同时消除检测过程中非线性光学信号的各向异性。
基本信息
专利标题 ：
半导体检测装置及半导体工艺装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921170186.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-24
授权号 ：
CN210006695U
授权日 ：
2020-01-31
发明人 ：
李海鹏
申请人 ：
紫创(南京)科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市浦口区桥林街道步月路29号12幢_373
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴敏
优先权 ：
CN201921170186.X
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2020-01-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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