半导体工艺
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
用于制造半导体器件特别是但不只是InP/InGaAsP低阈值半导体激光器的质量传递工艺，包括生长材料盖片(18)靠近要生长材料的半导体晶片(15)的安排，它们与晶状卤化碱(20)一起在坩埚(16)内的布置和坩埚的加热，加热时在氢气流中，几乎是但不完全是密封的。在制造InP/InGaAsP激光器和生长InP时，卤化碱可以是KI、RbI、或CsI，并且可将一定量的In金属(21)放在坩埚(16)里，以控制确定激光器有源区的InP的生长与InP从晶片其他区域腐蚀之间的平衡。生长是在与液相外延工艺相似的温度下进行的。
基本信息
专利标题 ：
半导体工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85104071A
申请号 ：
CN85104071.3
公开（公告）日 ：
1986-11-26
申请日 ：
1985-05-28
授权号 ：
CN1003337B
授权日 ：
1989-02-15
发明人 ：
彼得·戴维·格林丹尼尔·塞吉斯芒多·奥托·伦纳
申请人 ：
标准电话电报公共有限公司
申请人地址 ：
1DU斯特兰德190
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
陈景俊
优先权 ：
CN85104071.3
主分类号 ：
H01S3/18
IPC分类号 ：
H01S3/18 H01L21/203
相关图片
法律状态
1996-07-10 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-10-25 ：
授权
1989-02-15 ：
审定
1988-01-06 ：
实质审查请求
1986-11-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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