半导体封装和半导体工艺
授权
摘要
本公开涉及一种布线结构和一种半导体封装。所述布线结构包括介电层和在所述介电层上的第一图案化导电层。所述介电层具有第一区和第二区。所述第一图案化导电层包括数个精细导电线和数个伪导电结构。所述数个导电线包括在所述第一区上的第一数目个导电线和在所述第二区上的第二数目个导电线，且所述数个伪导电结构包括在所述第二区上的第一数目个伪导电结构。所述第一数目个导电线具有在所述第一区上的第一面积，且所述第二数目个导电线和所述第一数目个伪导电结构具有在所述第二区上的第二面积。所述第二面积与所述第一面积的比率大于或等于80％。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装和半导体工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108987373A
申请号 ：
CN201810193467.0
公开（公告）日 ：
2018-12-11
申请日 ：
2018-03-09
授权号 ：
CN108987373B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
黄文宏钟燕雯黄茜楣
申请人 ：
日月光半导体制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
蕭輔寬
优先权 ：
CN201810193467.0
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L23/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-06-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/498
申请日 : 20180309
申请日 : 20180309
2018-12-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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