半导体装置
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体装置，包括：半导体衬底，形成有芯片区以及切割线区；第一密封环以及第二密封环，设置在所述芯片区与所述切割线区之间，所述第二密封环围绕所述芯片区而设，所述第一密封环围绕所述第二密封环而设；测试垫，设置在所述切割线区；其中，第二密封环内形成与所述测试垫连接的测试导线。本申请在第二密封环内形成与测试垫连接的测试导线，避免在TEG内设置测试导线导致的TEG空间不足，与在TEG内设置测试导线相比，在第二密封环内形成测试导线更能提高电特性测量的精度。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446811A
申请号 ：
CN202011218160.5
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柳圣浩张欣杨涛赵劼
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
金铭
优先权 ：
CN202011218160.5
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20201104
申请日 : 20201104
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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