半导体装置以及半导体模块
实质审查的生效
摘要
本发明公开半导体装置以及半导体模块。提供能够降低损耗的半导体装置以及半导体模块。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第4电极、半导体构件、第1绝缘构件以及第2绝缘构件。半导体构件设置于第2电极与第1电极之间。第1半导体构件包括第1～第7半导体区域。第4半导体区域具有第1杂质浓度、第1载流子浓度以及第4半导体区域的体积相对于半导体构件的体积的第1体积比。第7半导体区域具有比第1杂质浓度高的第2导电类型的第2杂质浓度、比第1载流子浓度高的第2导电类型的第2载流子浓度以及比第1体积比高的第2体积比中的至少任意一个。第2体积比是第7半导体区域相对于半导体构件的体积的体积比。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置以及半导体模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447112A
申请号 ：
CN202110971529.8
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-08-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
下条亮平坂野竜则加藤贵大
申请人 ：
株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
李今子
优先权 ：
CN202110971529.8
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/06
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/739
申请日 : 20210824
申请日 : 20210824
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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