样本分析芯片及其制造方法
授权
摘要
本申请提供了一种样本分析芯片。该样本分析芯片包括基底基板和工作电极。工作电极具有双层结构。双层结构包括位于基底基板上的第一电极层以及位于第一电极层的背离基底基板的一侧的第二电极层。第二电极层包括抗蚀非金属导电材料。第一电极层的材料和第二电极层的材料彼此不同。
基本信息
专利标题 ：
样本分析芯片及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109952154A
申请号 ：
CN201880000712.X
公开（公告）日 ：
2019-06-28
申请日 ：
2018-06-26
授权号 ：
CN109952154B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
佟硕刘琨
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘悦晗
优先权 ：
CN201880000712.X
主分类号 ：
B01L3/00
IPC分类号 ：
B01L3/00
相关图片
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B01
一般的物理或化学的方法或装置
B01L
通用化学或物理实验室设备
B01L3/00
实验室用的容器或器皿，如实验室玻璃仪器；点滴器
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2019-07-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B01L 3/00
申请日 : 20180626
申请日 : 20180626
2019-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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