结合半导体芯片的设备和结合半导体芯片的方法
授权
摘要
本发明提供一种半导体芯片结合设备和一种半导体芯片结合方法，且更明确地说提供将半导体芯片结合到衬底的上表面或另一半导体芯片的设备和方法。根据半导体芯片结合设备和半导体芯片结合方法，可通过将半导体芯片快速且精确地结合到衬底或另一半导体芯片来增加产率。
基本信息
专利标题 ：
结合半导体芯片的设备和结合半导体芯片的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109103117A
申请号 ：
CN201810621365.4
公开（公告）日 ：
2018-12-28
申请日 ：
2018-06-15
授权号 ：
CN109103117B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
安根植
申请人 ：
普罗科技有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道安养市东安区市民大路327番道11-14
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨贝贝
优先权 ：
CN201810621365.4
主分类号 ：
H01L21/603
IPC分类号 ：
H01L21/603 H01L21/268
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
H01L21/603
包括运用压力的，例如热压黏结
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2019-01-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/603
申请日 : 20180615
申请日 : 20180615
2018-12-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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