一种半导体硅表面清洗方法
专利申请的视为撤回
摘要
一种半导体硅表面清洗方法，属于半导体硅器件产生技术领域。它是在利用非离子表面活性剂和金属离子螯合剂为主剂的清洗剂清洗之后，再加一道利用含微量HF酸的上述清洗剂清洗工序。基于HF酸能去除硅表面总是存在的一层SiO2薄膜，该清洗方法能够有效地清除寄存于SiO2中的各种杂质而具有比通常传统方法更好的清洗效果，用这种清洗方法制造的硅PW结，其反向击穿电压比用通常传统方法明显提高。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体硅表面清洗方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1052220A
申请号 ：
CN89106866.X
公开（公告）日 ：
1991-06-12
申请日 ：
1989-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙启基丁永发戴群陈子俊
申请人 ：
孙启基;丁永发;戴群;陈子俊
申请人地址 ：
261041山东省潍坊市东风大街43号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN89106866.X
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/30
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
1993-08-18 ：
专利申请的视为撤回
1991-06-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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