半导体单片式清洗装置及方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种半导体单片式清洗装置，包括：上料平台，用于承载多个待处理晶圆；清洗组件，与上料平台间隔设置，清洗组件用于对待处理晶圆进行清洗；加热组件，设置在上料平台与清洗组件的间隔内，用于对待处理晶圆进行加热；承载平台，对应加热组件的位置设置，用于承载加热组件中加热完毕待处理晶圆；机械手，能沿所述上料平台、清洗组件、加热组件及承载平台的排列方向移动，机械手用于将所述待处理晶圆从上料平台移动至所述加热组件内、将所述待处理晶圆从加热组件内移动到承载平台上或将所述待处理晶圆从承载平台上移动到所述清洗组件内。本发明能够提高清洗效率，加快清洗速度。
基本信息
专利标题 ：
半导体单片式清洗装置及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446818A
申请号 ：
CN202011213154.0
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔相龙杨涛卢一泓胡艳鹏
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京兰亭信通知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈晓瑜
优先权 ：
CN202011213154.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02 H01L21/677
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20201103
申请日 : 20201103
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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