一种单片式晶圆的清洗方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种单片式晶圆的清洗方法，包括：将需要清洗的晶圆置于清洗槽内，所述晶圆通过所述清洗槽底部提供的负压吸附固定；向所述晶圆的表面喷淋碱性清洗液；向所述晶圆的表面喷淋纯水；向所述晶圆的表面喷淋酸性清洗液；向所述晶圆的表面喷淋纯水；对所述晶圆的表面进行干燥处理，并进行表面颗粒检测。本发明的清洗方法相较于传统的清洗工艺，舍弃了接触式的机械夹持，而采用非接触式的负压吸附固定，从而避免了机械夹持过程中的颗粒粘附；本发明采用喷淋清洗的方式，从而避免了晶圆在清洗过程中被清洗液过度蚀刻，进而能够相应地节约清洗过程中纯水的用量。
基本信息
专利标题 ：
一种单片式晶圆的清洗方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420543A
申请号 ：
CN202111682638.4
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
廖世保邓信甫杨嘉斌林忠宝
申请人 ：
江苏启微半导体设备有限公司;至微半导体（上海）有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市启东经济开发区林洋路2015号
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
竺路玲
优先权 ：
CN202111682638.4
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/683 H01L21/67 B08B3/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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