晶圆清洗装置及方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种晶圆清洗装置及方法，该晶圆清洗装置包括：旋转台，用于放置晶圆；清洗液喷嘴，设置在所述晶圆中心位置的上方；可移动加热装置，用于对所述晶圆表面加热；控制器，与所述可移动加热装置相连；在清洗所述晶圆时，所述旋转台带动所述晶圆旋转，所述清洗液喷嘴向所述晶圆中心位置喷洒清洗液，所述控制器控制所述可移动加热装置相对于所述晶圆移动，以对所述晶圆表面特定区域进行加热。上述方案，能够通过改善晶圆表面的温度差异，改善了晶圆片内不同区域温度不同导致的腐蚀速率的差异，确保了晶圆的清洗腐蚀效果。
基本信息
专利标题 ：
晶圆清洗装置及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388387A
申请号 ：
CN202011123693.5
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴英植卢一泓李琳胡艳鹏张月
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京华沛德权律师事务所
代理人 ：
房德权
优先权 ：
CN202011123693.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02 H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20201020
申请日 : 20201020
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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