晶圆清洗装置及方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种晶圆清洗装置，在晶圆清洗装置中增设紫外线灯，使用紫外线灯对晶圆进行照射，以加快晶圆上残留挥发性气体的挥发；再使用清洗机构对晶圆进行湿法清洗，以去除晶圆上残留的颗粒副产物。本发明能够解决挥发性气体导致的后续刻蚀图案不良的问题。
基本信息
专利标题 ：
晶圆清洗装置及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520160A
申请号 ：
CN202011293540.5
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
车世浩胡艳鹏李琳
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京兰亭信通知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙峰芳
优先权 ：
CN202011293540.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20201118
申请日 : 20201118
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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