清洗方法和清洗设备

授权

摘要

本发明提供一种清洗方法和清洗设备，该方法包括以下步骤：S1，使晶片旋转，向晶片正面喷淋能够去除晶片正面上的氧化膜的第一清洗液，同时向晶片背面喷淋超纯水；S2，保持晶片旋转，并向晶片正面喷淋超纯水，同时在晶片的转速大于或等于预设转速值时，向晶片背面喷淋超纯水；在晶片的转速小于预设转速值时，向晶片背面喷淋保护气体；S3，保持晶片旋转，并向晶片正面喷淋能够减少晶片表面张力的第二清洗液，同时向晶片背面喷淋保护气体；S4，保持晶片旋转，并同时向晶片正面和晶片背面喷淋保护气体。本发明提供的清洗方法和清洗设备的技术方案，可以减少晶片表面水痕和颗粒，改善清洗效果，同时可以间接加热清洗药液，提高了工艺安全性。

基本信息

专利标题：

清洗方法和清洗设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110416066A

申请号：

CN201910773015.4

公开（公告）日：

2019-11-05

申请日：

2019-08-21

授权号：

CN110416066B

授权日：

2022-05-27

发明人：

陈洁吴仪

申请人：

北京北方华创微电子装备有限公司

申请人地址：

北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

彭瑞欣

优先权：

CN201910773015.4

主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/02 H01L21/67 B08B3/02

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

法律状态

2022-05-27 ：

授权

2019-11-29 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20190821

2019-11-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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