半导体清洗装置以及清洗保护方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种半导体清洗装置，包括：清洗槽，所述清洗槽具有酸洗槽和循环槽；所述循环槽具有两个可开关出口，其中一个所述可开关出口与所述酸洗槽入口通过循环管路连通，以使循环槽中的酸性液体进入酸洗槽中；另一个所述可开关出口连通有排放管路；混合器，所述混合器的出口与所述循环管路连通，所述混合器具有两个入口；第一容器，用于容置预加热的酸性液体，所述第一容器与所述混合器的其中一个入口通过可开关的管路连通；供给主管线，用于供给室温的酸性液体，所述供给主管线与所述混合器的另一个入口通过可开关的管路连通。本发明能够对酸洗槽中的酸性液体快速降温，在发生故障时能够及时保证晶圆不受损坏。
基本信息
专利标题 ：
半导体清洗装置以及清洗保护方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429919A
申请号 ：
CN202011179824.1
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘钟埈杨涛卢一泓胡艳鹏
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京兰亭信通知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈晓瑜
优先权 ：
CN202011179824.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20201029
申请日 : 20201029
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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