一种半导体设备和清洗方法
授权
摘要
本发明提供一种半导体设备和清洗方法，包括：反应腔室，反应腔室用于对晶圆进行处理工艺；真空泵，真空泵通过排气管路与反应腔室的第一端连接，真空泵用于抽取反应腔室内的副产物；以及与排气管路连接的第一远程等离子体清洗装置，第一远程等离子体清洗装置用于清洗排气管路中的副产物。这样，通过在反应腔室与真空泵之间的排气管路上连接第一远程等离子体清洗装置，第一远程等离子体清洗装置产生的等离子体进入排气管路中，并与排气管路中的副产物反应，从而达到清洗排气管路中的副产物的目的，避免副产物堵塞排气管路。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体设备和清洗方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113066740A
申请号 ：
CN202110327094.3
公开（公告）日 ：
2021-07-02
申请日 ：
2021-03-26
授权号 ：
CN113066740B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
张高升詹昶
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨丽爽
优先权 ：
CN202110327094.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01J37/32
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-07-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20210326
申请日 : 20210326
2021-07-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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