半导体结构及其形成方法和臭氧清洗设备
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种半导体结构及其形成方法和臭氧清洗设备,所述半导体结构的形成方法包括:对半导体结构中的硅片进行干蚀刻,形成沟槽;清洗所述沟槽;在所述沟槽的表面形成氧化层;蚀刻掉所述氧化层,并使所述沟槽的底部和侧壁之间形成光滑曲面。本申请在蚀刻出沟槽后,清洗掉沟槽中残留的部分硅颗粒;接着对沟槽表面进行氧化处理,使得沟槽上半部分表面以及残留在沟槽底部中的硅颗粒形成二氧化硅层;后续通过蚀刻掉这部分二氧化硅层,相当于去掉了沟槽上半部分中的部分硅片以及底部的硅颗粒,使得沟槽的开口变大,从而使得沟槽的侧壁与底部形成曲面;这样后续工艺中氧化物介质能够充分填充在沟槽中,不会产生间隙,从而不会产生漏电流。
基本信息
专利标题 :
半导体结构及其形成方法和臭氧清洗设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114361026A
申请号 :
CN202110290536.1
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2021-03-18
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
史仁先王国峰
申请人 :
青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司
申请人地址 :
山东省青岛市即墨区北安街道办事处太吉路1号
代理机构 :
深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
邢涛
优先权 :
CN202110290536.1
主分类号 :
H01L21/306
IPC分类号 :
H01L21/306 H01L21/311 H01L21/67 H01L21/762 H01L29/06 B08B3/08 B08B3/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理,例如电解腐蚀
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20210318
申请日 : 20210318
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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