本申请公开了一种半导体结构及其形成方法和臭氧清洗设备，所述半导体结构的形成方法包括：对半导体结构中的硅片进行干蚀刻，形成沟槽；清洗所述沟槽；在所述沟槽的表面形成氧化层；蚀刻掉所述氧化层，并使所述沟槽的底部和侧壁之间形成光滑曲面。本申请在蚀刻出沟槽后，清洗掉沟槽中残留的部分硅颗粒；接着对沟槽表面进行氧化处理，使得沟槽上半部分表面以及残留在沟槽底部中的硅颗粒形成二氧化硅层；后续通过蚀刻掉这部分二氧化硅层，相当于去掉了沟槽上半部分中的部分硅片以及底部的硅颗粒，使得沟槽的开口变大，从而使得沟槽的侧壁与底部形成曲面；这样后续工艺中氧化物介质能够充分填充在沟槽中，不会产生间隙，从而不会产生漏电流。