半导体结构的形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成初始牺牲层；在初始牺牲层内形成改性层，所述改性层的厚度小于所述初始牺牲层的厚度，所述改性层与初始牺牲层的刻蚀速率不同；采用第一刻蚀去除部分所述初始牺牲层，在改性层之间形成凹槽，所述凹槽的深度小于初始牺牲层的厚度；以所述改性层为掩膜，采用第二刻蚀去除所述凹槽底部暴露出的初始牺牲层，形成牺牲层和位于牺牲层上的改性层。所述方法形成的半导体结构的性能得到提升。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284141A
申请号 ：
CN202011032918.6
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2020-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王士京
申请人 ：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202011032918.6
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/308
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20200927
申请日 : 20200927
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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