清洗半导体衬底的方法和装置
授权
摘要
一种使用超声波或兆声波装置(1003,2003)清洗半导体衬底(1010,2010)且不损伤半导体衬底(1010,2010)上的图案化结构的方法，包括：将液体喷射到半导体衬底(1010,2010)和超声波或兆声波装置(1003,2003)之间的间隙中；设置超声波或兆声波电源的频率为f1，功率为P1以驱动超声波或兆声波装置(1003,2003)；在液体中的气穴振荡损伤半导体衬底(1010,2010)上的图案化结构之前，设置超声波或兆声波电源的输出为零；待气泡内的温度下降到设定温度后，再次设置超声波或兆声波电源的频率为f1，功率为P1；分别检测频率为f1，功率为P1时的通电时间和断电时间或者检测超声波或兆声波电源每个输出波形的振幅；将检测到的通电时间和预设时间τ1进行比较，或者将检测到的断电时间和预设时间τ2进行比较，或者将检测到的每个波形
基本信息
专利标题 ：
清洗半导体衬底的方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109075103A
申请号 ：
CN201680084209.8
公开（公告）日 ：
2018-12-21
申请日 ：
2016-04-06
授权号 ：
CN109075103B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
王俊王晖陈福发陈福平王坚王希张晓燕金一诺贾照伟谢良智李学军
申请人 ：
盛美半导体设备(上海)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号第4幢
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
陆嘉
优先权 ：
CN201680084209.8
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-03-13 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 21/67
变更事项 : 申请人
变更前 : 盛美半导体设备(上海)有限公司
变更后 : 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号第4幢
变更后 : 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢
变更事项 : 申请人
变更前 : 盛美半导体设备(上海)有限公司
变更后 : 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号第4幢
变更后 : 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢
2019-01-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20160406
申请日 : 20160406
2018-12-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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