一种清洗装置、清洗系统及清洗方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种清洗装置、清洗系统及清洗方法，涉及化学机械抛光技术领域，在精确控制清洗装置所包括的清洗刷组件作用在晶圆不同待清洗区域上的清洗压力的情况下，降低对晶圆表面的欠清洗和/或过清洗的风险。该清洗装置应用于化学机械抛光后的晶圆的清洗，晶圆具有至少两个待清洗区域，至少两个待清洗区域上的杂质分布特性不同。清洗装置包括供液单元、供液管路和清洗刷组件。供液单元通过供液管路向清洗刷组件供应清洗液。清洗刷组件具有至少两个清洗区域，一个清洗区域对应一个待清洗区域。供液管路向至少两个清洗区域提供不同的清洗力。本发明还提供一种清洗系统及清洗方法。
基本信息
专利标题 ：
一种清洗装置、清洗系统及清洗方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496833A
申请号 ：
CN202011176697.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金泰源张月杨涛卢一泓刘青
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京知迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
何丽娜
优先权 ：
CN202011176697.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02 H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20201028
申请日 : 20201028
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
