一种单片式晶圆的高温湿法清洗方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种单片式晶圆的高温湿法清洗方法,包括:通过传输组件,将晶圆输送至密闭的清洗腔室内,并于清洗槽的上方静置;通过真空系统对清洗腔室进行抽真空,待晶圆处于负压状态后,将晶圆置入清洗槽内,并通过真空系统破除清洗腔室内的真空状态,以使得清洗溶液倒灌入晶圆表面的狭缝之中。本发明的高温湿法清洗方法在清洗过程中,利用负压抽除了晶圆表面狭缝内的气体,如此再将晶圆置入清洗溶液中,并破除真空,清洗溶液即可倒灌入狭缝,完成对该狭缝的清洗;同样的,纯水对狭缝的清洗可以防止残留的清洗溶液对晶圆狭缝处表面的过度蚀刻。
基本信息
专利标题 :
一种单片式晶圆的高温湿法清洗方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114420541A
申请号 :
CN202111677857.3
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2021-12-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘大威邓信甫徐铭
申请人 :
江苏启微半导体设备有限公司;至微半导体(上海)有限公司
申请人地址 :
江苏省南通市启东经济开发区林洋路2015号
代理机构 :
上海申新律师事务所
代理人 :
竺路玲
优先权 :
CN202111677857.3
主分类号 :
H01L21/02
IPC分类号 :
H01L21/02 B08B3/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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