半导体激光元件以及单片二波长半导体激光装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种半导体激光元件以及单片二波长半导体激光装置，其在N型GaAs衬底(1)上形成有源层(6)上，在有源层(6)上形成P型AlGaInP外敷层(8)。另外，P型AlGaINP外敷层(8)上形成的脊部的侧方上形成具有与P型AlGaInP外敷层(8)大致相同的折射率的N型AlGaInP阻碍层(13)。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光元件以及单片二波长半导体激光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1758494A
申请号 ：
CN200510108809.7
公开（公告）日 ：
2006-04-12
申请日 ：
2005-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宫嵜启介辰巳正毅
申请人 ：
夏普株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200510108809.7
主分类号 ：
H01S5/00
IPC分类号 ：
H01S5/00
法律状态
2008-07-23 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-06-07 ：
实质审查的生效
2006-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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