多波长半导体激光元件及多波长半导体激光装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要

本发明提供一种消耗功率小、热机械特性稳定的多波长半导体激光元件和多波长半导体激光装置。该多波长半导体激光元件,具有:第一半导体激光元件(12),形成在基板的主面上,发射特定波长的振荡光;第二半导体激光元件(13),与上述第一半导体激光元件的光轴平行且接近地配置,以使振荡光的光轴实质上为同一光轴,具备比第一半导体激光元件的谐振器长L1短的谐振器L2,并发射与上述特定波长不同波长的振荡光;电极(17、18、19),用来分别取得上述第一及第二半导体激光元件的活性层的电气导通;及凸部(14),配置为分别接近与上述第一半导体激光元件的光轴平行的侧面、和与上述第二半导体激光元件的光轴垂直的端面,在上表面形成绝缘膜(20)。

基本信息
专利标题 :
多波长半导体激光元件及多波长半导体激光装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1753262A
申请号 :
CN200510106430.2
公开(公告)日 :
2006-03-29
申请日 :
2005-09-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
山田正宪松下孝一宫坂博信角田和哉
申请人 :
株式会社东芝
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
永新专利商标代理有限公司
代理人 :
胡建新
优先权 :
CN200510106430.2
主分类号 :
H01S5/40
IPC分类号 :
H01S5/40  H01S5/10  H01S5/22  
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法律状态
2008-04-30 :
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-05-24 :
实质审查的生效
2006-03-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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