单片多波长高速DFB激光光源外延层结构和芯片
授权
摘要
本实用新型提出一种宽温度工作单片多波长高速DFB激光光源外延层结构和芯片，其特征在于：在下波导层和上波导层之间设置有应变补偿多量子阱；所述应变补偿多量子阱包括：下部的经第一高温处理的压应变AlGaInAs量子阱、中部的经第二高温处理的压应变AlGaInAs量子阱、以及上部的不经高温处理的压应变AlGaInAs量子阱。其可实现超过工业级温度范围单模工作，并实现在单片上的多波长DFB阵列激光光源，同时可实现不同DFB波长的精确调控，产品可应用在5G无线网、数据中兴等应用领域，提高应用端的集成度并降低应用成本。
基本信息
专利标题 ：
单片多波长高速DFB激光光源外延层结构和芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121815571.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-05
授权号 ：
CN216214796U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
薛正群
申请人 ：
福建中科光芯光电科技有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市石狮市高新区创新创业中心11#厂房1层
代理机构 ：
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 ：
丘鸿超
优先权 ：
CN202121815571.2
主分类号 ：
H01S5/12
IPC分类号 ：
H01S5/12 H01S5/343 H01S5/22 H01S5/042
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
