长波长LED同质外延结构、其制备方法及应用
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种长波长LED同质外延结构、其制备方法及应用。所述长波长LED同质外延结构包括：第一导电类型的GaN单晶衬底；以及，依次生长在所述衬底上的缓冲层、弛豫层、应力释放层、多量子阱发光层以及第二导电类型的半导体层。本申请利用GaN单晶衬底低缺陷密度和高原子台阶密度等特点，通过在衬底与多量子阱发光层之间设置缓冲层、弛豫层和应力释放层，有效缓解了高In组分InGaN与GaN之间的压应力，显著提升了In的并入效率，整体提升了高In组分InGaN发光量子阱的外延生长温度，实现了高质量、高In组分InGaN多量子阱发光层的生长，大幅提高了红光LED的量子效率。
基本信息
专利标题 ：
长波长LED同质外延结构、其制备方法及应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497303A
申请号 ：
CN202210389767.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-04-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王国斌闫其昂刘宗亮
申请人 ：
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王锋
优先权 ：
CN202210389767.2
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/02 H01L33/00
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/12
申请日 : 20220414
申请日 : 20220414
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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