一种同质/异质混合外延生长大尺寸单晶金刚石的制备方法

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摘要

本发明公开了一种同质/异质混合外延生长大尺寸单晶金刚石的制备方法，首先将小尺寸单晶金刚石晶种边缘研磨抛光成平直表面；根据单晶金刚石晶种尺寸对氧化钇稳定氧化锆（YSZ）单晶晶片表面刻蚀处理，形成具有凹槽和边框的YSZ单晶晶片衬底，将单晶金刚石晶种放入YSZ单晶晶片衬底槽内，在该衬底表面外延生长YSZ单晶薄膜缓冲层；将YSZ单晶薄膜减薄抛光至平整表面并显露出镶嵌单晶金刚石晶种和YSZ边框的复合衬底模板；在复合衬底表面外延生长一层铱单晶薄膜，并对铱薄膜处理以形成栅格化复合衬底；最后在栅格化复合衬底表面外延生长单晶金刚石。该方法对降低外延缺陷和界面失配，提高大尺寸单晶金刚石的外延生长质量具有显著意义。

基本信息

专利标题：

一种同质/异质混合外延生长大尺寸单晶金刚石的制备方法

专利标题（英）：

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公开（公告）号：

CN113774479A

申请号：

CN202111075236.8

公开（公告）日：

2021-12-10

申请日：

2021-09-14

授权号：

CN113774479B

授权日：

2022-06-14

发明人：

周兵于盛旺马永王永胜郑可黑鸿君吴艳霞高洁

申请人：

太原理工大学

申请人地址：

山西省太原市万柏林区迎泽西大街79号

代理机构：

太原市科瑞达专利代理有限公司

代理人：

申艳玲

优先权：

CN202111075236.8

主分类号：

C30B25/18

IPC分类号：

C30B25/18 C30B25/20 C30B29/02 C30B29/04