一种大尺寸单晶金刚石膜生长和剥离方法
实质审查的生效
摘要
本发明的一种大尺寸单晶金刚石膜生长和剥离方法属于晶体生长技术领域，步骤包括在单晶金刚石作为衬底旋涂光刻胶，设计的掩膜图形，沉积掩膜材料，去除光刻胶，沉积生长金刚石外延层，浸泡剥离等。本发明技术方案中外延生长的单晶金刚石膜在冷却过程中由于应力的差异而自然剥离，外延生长的晶体质量高，材料损耗小，且不受材料尺寸限制。
基本信息
专利标题 ：
一种大尺寸单晶金刚石膜生长和剥离方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318527A
申请号 ：
CN202111645882.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邹广田李根壮吕宪义王启亮李柳暗谢文良林旺董成威
申请人 ：
吉林大学;吉林大学深圳研究院
申请人地址 ：
吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号
代理机构 ：
长春吉大专利代理有限责任公司
代理人 ：
王恩远
优先权 ：
CN202111645882.3
主分类号 ：
C30B25/20
IPC分类号 ：
C30B25/20 C30B25/18 C30B25/16 C30B25/04 C30B29/04 C30B33/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/18
以衬底为特征的
C30B25/20
与外延层材料相同的衬底
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/20
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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