同位素纯单晶外延金刚石薄膜及其制备方法
专利申请的视为撤回
摘要
本发明涉及一种由同位素纯的碳-12和碳-13所组成的单晶金刚石的制造方法。在本发明中，同位素纯的单晶金刚石是直接由同位素纯的碳-12或碳-13在一个单晶基体上形成的。
基本信息
专利标题 ：
同位素纯单晶外延金刚石薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1057869A
申请号 ：
CN91104585.6
公开（公告）日 ：
1992-01-15
申请日 ：
1991-07-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
威廉·F·班霍尔泽托马斯·R·安东尼丹尼斯·M·威廉斯
申请人 ：
通用电气公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
王景朝
优先权 ：
CN91104585.6
主分类号 ：
C30B25/02
IPC分类号 ：
C30B25/02 C30B25/20 C30B29/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
法律状态
1996-08-21 ：
专利申请的视为撤回
1993-10-20 ：
实质审查请求的生效
1992-01-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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