一种同质外延结构，其制备方法及剥离方法
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摘要
本发明公开了一种同质外延结构，包括单晶衬底、生长于所述单晶衬底上的成核层以及生长于所述成核层上的插入层，所述插入层上具有与单晶衬底材料相同的外延层；其中，所述成核层和插入层材料相同，且所述成核层和插入层材料的禁带宽度小于所述单晶衬底材料的禁带宽度；所述单晶衬底的表面具有多个凹坑，所述成核层中的成核晶粒呈岛状分布于所述凹坑处及单晶衬底的表面。本发明还公开了所述同质外延结构的制备方法及剥离方法。与现有的同质外延层的剥离方法相比，本发明的同质外延结构的剥离方法更加高效，且易于实现工业化生产。
基本信息
专利标题 ：
一种同质外延结构，其制备方法及剥离方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114242854A
申请号 ：
CN202210165318.X
公开（公告）日 ：
2022-03-25
申请日 ：
2022-02-23
授权号 ：
CN114242854B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
王国斌李增林
申请人 ：
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城23幢205室
代理机构 ：
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
苏张林
优先权 ：
CN202210165318.X
主分类号 ：
H01L33/02
IPC分类号 ：
H01L33/02 H01L33/20 H01L33/12 H01L33/00
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2022-04-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/02
申请日 : 20220223
申请日 : 20220223
2022-03-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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